１．実験１について

　　　最初の実験では、様々な回路に使われるチップコンデンサとチップインダクタの特性
　　を調べてみましょう。携帯電話などの民生用高周波機器の市場拡大と開発競争により、
　　それらに使われる部品も小型化と高周波特性の改善が急速に進みました。何気なく使用
　　しているチップ部品は、使用している周波数帯において、チップコンデンサはＣとして、
　　チップインダクタはＬとして本当に働いているのでしょうか？
　　　チップ部品の主流は１００５タイプになっていますので、１００５タイプのチップコ
　　ンデンサ（積層）とチップインダクタ（積層）の特性を調べてみましょう。Ｑなどの特
　　性はメーカーのデータシートにありますので、ここでは回路内で使った場合を想定して
　　実験します。図１−１に実験基板を示します。長さ３０ｍｍのマイクロストリップ・ラ
　　イン（特性インピーダンス５０Ω）の中央付近に部品を実装して挿入損失を測定しまし
　　た。図に示すように、コンデンサはラインとＧＮＤ間に接続し、インダクタはラインの
　　途中に挿入しました。


　　　　　　

    　　　　　　　　　　図１−１　実験基板


　　○　測定器　：　ＨＰ８７５３Ｄ　（Full 2-Port Calibration)

　　○　評価部品（今回は手元にあった太陽誘電（株）製の以下の部品を使用しました）

　　　　　　　　　


　２．実験準備

　　　実験を始める前に、実験基板の５０Ωラインの特性を確認しておきます。挿入損失と
　　入力ＶＳＷＲの測定結果を図１−２，１−３に示します。全帯域においてＶＳＷＲがほ
　　ぼ１．２以下になっていますので、実験基板として問題無いと考えます。


　　　　　　　　　

    　　　　　　　　　　図１−２　実験基板の特性（挿入損失）

　　　　　　　　　

    　　　　　　　　　　図１−３　実験基板の特性（ＶＳＷＲ）


　３．チップコンデンサの特性

　　　個々のチップコンデンサの特性を図１−４に示します。各コンデンサの自己共振周波
　　数は、1000pF：約200MHz，100pF：約500MHz，10pF：約1500MHz，1pF：約4500MHz に
　　あることが判りました。バイアスラインなどのデカップリング・コンデンサは、使用周
　　波数帯を考慮して慎重に選ぶ必要があることを再認識しました。
　　　一つのコンデンサでは広い帯域をカバーできていません。そこで複数のコンデンサを
　　組み合わせた場合にどのような特性になるのか調べてみました。図１−５にその特性を
　　示します。う〜ん。。。

　　　　　　

    　　　　　　　　　　図１−４　チップコンデンサの特性１


　　　　　　

    　　　　　　　　　　図１−５　チップコンデンサの特性２


　４．チップインダクタの特性

　　　チップインダクタの特性を図１−６に示します。各インダクタの自己共振周波数は、
　　56nH：約1400MHz，10nH：約3900MHz，4.7nH：約5800MHzにあることが判りました。高
　　周波特性が本当に良くなったと感じました。

　　　　　　

    　　　　　　　　　　図１−６　チップインダクタの特性


　５．最後に

　　　チップ部品には自己共振周波数があります。自己共振周波数を境にして、コンデンサ
　　のインピーダンスは容量性から誘導性へと変わり、インダクタのインピーダンスは誘導
　　性から容量性へと変わります。アンプなどの能動性回路では、使用周波数帯域外におけ
　　る各部品の特性にも十分に注意を払う必要があります。思わぬ周波数帯で異常発振を引
　　き起こす場合があります。高調波の特性にも影響を与えます。
　　
　　（部品が手に入れば、色々なメーカの部品の特性比較が出来るのですが。。。）