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　目次
　１．ＰＩＮダイオード
　２．スイッチ
　３．移相器
　４．アッテネータ　（１）固定アッテネータ

　（２）可変アッテネータ

　　　ここでは減衰量をアナログ的に連続可変できるアッテネータについて、その回路構成
　　と動作を調べてみましょう。スイッチで切り替える方式は、固定アッテネータとスイッ
　　チの組合せなので説明の必要はないでしょう。（注意点を１つ挙げるとすれば、減衰量
　　が大きなアッテネータとラインを切り替える場合、スイッチのアイソレーションは減衰
　　量よりも十分に大きくなければなりません）

　　　まず、連続可変できるアッテネータを実現する為には、ＤＣバイアスで抵抗値をコン
　　トロールできる半導体が必要になります。ＰＩＮダイオードの順方向抵抗成分は、ＤＣ
　　バイアス電流によってコントロールすることが可能です。ＭＥＳＦＥＴのドレイン・ソ
　　ース間の抵抗成分は、ゲートのバイアス電圧によってコントロールできます。この２つ
　　の半導体素子が可変アッテネータによく使われています。
　　　（時間があれば色々な半導体の特性を調べてみて下さい）
　　　
　　　さて、連続可変できるアッテネータの回路構成はどうしましょうか？Ｔ型，π型回路
　　の場合、半導体が３つ必要になります。Ｔ型，π型の他に、使う半導体の数が少なくて
　　済むアッテネータ回路はないのでしょうか。。。　あります！　ブリッジＴ型という回
　　路があります。その回路構成を図５−５２に示します。各抵抗の値は次式で求めること
　　ができます。
　　　　　

    　　　　

    　　　　　　　　　　図５−５２　ブリッジＴ型アッテネータ

　　
　　例えば３ｄＢのアッテネータは、　　（Ｚo＝５０Ω）

　　　　Ｒ１＝２０．６Ω，Ｒ２＝１２１．２Ω

　　ＰＩＮダイオードを使ったブリッジＴ型可変アッテネータの回路例を図５−５３に示し
　　ます。減衰量を小さくする場合には、Ｄ１の電流を大きくしＤ２の電流を小さくします。
　　逆に減衰量を大きくする場合には、Ｄ１の電流を小さくしＤ２の電流を大きくします。
　　この回路の場合、Ｄ１，Ｄ２の電流は共通の負荷抵抗Ｒ２を流れます。Ｖ２を大きくし
　　てＤ２の電流を増やすと、Ｒ２での電圧降下が大きくなり、Ｄ１の電流が減少します。
　　逆にＶ２を小さくすれば、Ｄ２の電流は減り、Ｄ１の電流は増えます。Ｖ２を変化させ
　　た時にＤ１，Ｄ２の抵抗性分が所望の値になるように、Ｒ１〜Ｒ３の抵抗値を決めます。
　　この回路の利点は、コントロールするものが１つで済むという点です。もしＲ１，Ｒ２
　　が大きければ（数ｋΩ）、チョークコイルのＬ１，Ｌ２は削除することも可能です。


    　　　　　　　

    　　　　　　　　　　　図５−５３　ブリッジＴ型可変アッテネータ


　　「コントロール回路」はこれで一旦終わりにして次のテーマに移りたいと思います。