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　目次
　１．90°Hybrid（Branch-Line Coupler）
　２．Rat-Race（Magic Tee）
　３．λ／４変成器（transformer）

　４．バイアス回路

　（１）集中定数で構成

　　　直流バイアス供給を必要とする回路には、そのバイアスを供給する為の回路が必要
　　になります。バイアス回路に要求されるのは、高周波特性に影響を及ぼすこと無く、
　　バイアスを供給することです。伝送線路に直流バイアスを印加する回路と、伝送線路
　　からＧＮＤへと直流電流を流す回路について、この項と次項で詳しく見てみます。
　　　この項では、集中定数（チップ部品）で構成したバイアス回路の特性を調べてみま
　　す。

　　◇　バイアス回路１　：　伝送線路とＧＮＤ間に抵抗

　　　図７−１９に示すように、伝送線路とＧＮＤ間に抵抗を接続した回路の影響を調べ
　　てみます。抵抗値を 100Ω，1kΩ，10kΩと変えてシミュレーションした結果を、図
　　７−２０に示します。チップ抵抗は、抵抗性分と直列に 0.6nHのインダクタンス成分
　　を持っているとして（回路実験室の測定結果から）、シミュレーションを行いました。
　　この結果から、抵抗値が数ｋΩ以上あれば、伝送線路に直接抵抗を接続しても影響が
　　少ないと考えられます。

　　
    　　　　　　　　　　　　図７−１９　バイアス回路１


　　　　　　

    　　　　　　　　　　　　図７−２０　バイアス回路１の影響


　◇　バイアス回路２

　　　次に図７−２１に示すように、抵抗を介して伝送線路にバイアスを印加する回路の
　　影響を調べてみます。シミュレーション結果を、図７−２２に示します。チップコン
　　デンサは、直列に 1nHのインダクタンス成分を持っているとして（回路実験室の測定
　　結果から）、シミュレーションを行いました。こちらも、抵抗値が数ｋΩ以上あれば、
　　伝送線路に直接抵抗を接続しても影響が少ないと考えられます。

　　
    　　　　　　　　　　　　図７−２１　バイアス回路２


　　　　　　

    　　　　　　　　　　　　図７−２２　バイアス回路２の影響


　◇　バイアス回路３

　　　図７−２３に示すように、伝送線路とＧＮＤ間にインダクタを接続した回路の影響
　　を調べてみます。インダクタの値を 10nH，22nH，47nH，100nHと変えてシミュレー
　　ションした結果を図７−２４に示します。チップインダクタは、並列にキャパシタン
　　ス成分を持っているとして、シミュレーションを行いました。某メーカーのデータシ
　　ートに記載されている自己共振周波数から、キャパシタンス成分の値を決めました。
　　使用周波数帯域の中心付近に、自己共振周波数を持つインダクタが良いと考えられま
　　す（自己共振周波数でインピーダンスが最大になるので）。

　　
    　　　　　　　　　　　　図７−２３　バイアス回路３


　　　　　　

    　　　　　　　　　　　　図７−２４　バイアス回路３の影響


　◇　バイアス回路４

　　　図７−２５に示すように、インダクタを介して伝送線路にバイアスを印加する回路
　　の影響を調べてみます。シミュレーション結果を図７−２６に示します。チップコン
　　デンサは、直列に 1nHのインダクタンス成分を持っているとして、シミュレーション
　　を行いました。こちらも、使用周波数帯域の中心付近に、自己共振周波数を持つイン
　　ダクタが良いと考えられます。

　　

    　　　　　　　　　　　　図７−２５　バイアス回路４


　　　　　　

    　　　　　　　　　　　　図７−２６　バイアス回路４の影響


　４．バイアス回路　（２）分布定数で構成