トップへ 目次 １．90°Hybrid（Branch-Line Coupler） ２．Rat-Race（Magic Tee） ３．λ／４変成器（transformer） ４．バイアス回路 （１）集中定数で構成 （２）分布定数で構成 集中定数回路に続いて、分布定数で構成したバイアス回路を見ていきましょう。 ◇ バイアス回路５ 先ず最初に、図７−２７に示す回路を見てみます。この回路は、直流〜低周波にお いて接地回路として働きますので、バイアス電流のリターン回路，０Ｖバイアス回路， 静電気対策回路などとして使われます。図７−２７ バイアス回路５ 経験的に、λ／４の長さの高い特性インピーダンスのライン（細いライン）で接地 していると思いますが、インピーダンスはどれくらいが最適なのか、高ければ高いほ ど良いのか、考えたことがありますか？図の等価回路で、ラインの特性インピーダン スを 15Ω，50Ω，150Ωと変えてシミュレーションした結果を、図７−２８に示しま す。各伝送線路は理想的なものとして、シミュレーションを行いました。シミュレー ションで 15Ω，150Ωという値をなぜ使ったかというと、マイクロストリップライン で一般に実現可能な特性インピーダンスが、この範囲程度だからです。 シミュレーション結果から、特性インピーダンスが高ければ高いほど、広帯域化で きて良いと言えます。ただし、パターンを形成する導体の厚さはガラエポやテフロン 基板等で 18μmか35μm，セラミック基板等で薄膜のパターンの場合には数μmしかあ りませんから、大電流を流す回路の場合には、パターンが焼損しないよう注意が必要 です。 ショートスタブの働きについては、Passive回路 PartT １．の項を参照下さい。
図７−２８ バイアス回路５の影響 ◇ バイアス回路６ 図７−２９に示すように、λ／４のラインを介して、バイアスを供給する場合の影 響を調べてみます。ラインのインピーダンスを変えてシミュレーションした結果を、 図７−３０に示します。各伝送線路は理想的なものとして、シミュレーションを行い ました。特性インピーダンスが低いほど、コンデンサの影響が出ています。
図７−２９ バイアス回路６
図７−３０ バイアス回路６の影響 ◇ バイアス回路７ 最後に、図７−３１のようにバイアス回路６のコンデンサの代わりに、λ／４のオ −プンスタブを接続した回路の影響を調べてみます。マイクロ波回路でよく見かける パターンです。主伝送線路から引き出すラインの特性インピーダンスを 150Ωとして、 それにつながるオープンスタブの特性インピーダンスを変えて（15Ω，50Ω，150Ω）、 シミュレーションした結果を、図７−３１に示します。各伝送線路は理想的なものと して、シミュレーションを行いました。 シミュレーション結果から、特性インピーダンスが低ければ低いほど、広帯域化で きて良いと言えます。
図７−３１ バイアス回路７
図７−３２ バイアス回路７の影響 何故この回路が、ショートスタブと同じような特性になるのか？ 考え方１ ： λ／４オープンスタブの付け根は、中心周波数において高周波的に 接地されているとみなすことが出来るので、Z1のラインは高周波的に はショートスタブと等価と考えられる。 考え方２ ： Z1，Z2のラインを合わせると、長さはλ／２になる。オープンスタ ブの先端で電圧振幅最大なので、そこからλ／２離れた伝送線路との 接続点でも電圧振幅最大になる。